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【131910】研究生导师傅竹西:中国科学技术大学

分类:考研 日期:2017-08-11 分享到
姓  名 傅竹西 性  别 出生年月 1944-03
所在院校 中国科学技术大学 所在院系 物理系
职称 教授 招生专业
研究领域   方向:宽禁带半导体材料及其光电特性。  内容:目前主要集中于ZnO 光电信息功能薄膜材料,研究它们的紫外自发辐射和受激辐射性能、光电转换和光电耦合特性等。  目标是制备出ZnO 结型紫外光电探测器、紫外发光和激光二极管等器件。
联系方式 E-mail fuzx@ustc.edu.cn 电 话 0551******* 邮 编 230026
地 址 安徽合肥中国科技的大学物理楼406室
个人简介

  傅竹西, 男, 教授(博士生导师). 1944年3月出生. 1967年毕业于北京大学物理系。 1976 年初到中国科大 物理系任教至今。教学方面主讲过研究生课:"光电子学"和"半导体 光电子材料”等;基础课:"光学","原子物理学"等。

  曾编写出版了"固体光电子学"一书。(99年1月, 中国科技 大学出版社)。

  科研工作经历: 1976-1985年, 从事发光二极管 和电致发光材料和器件的研究工作。1985年至今, 从事 半导体光电子薄膜材料的制备和特性研究工作。近年来在ZnO光电信息功能薄膜研究方面有较大贡献. 先后获国家基金委、科技部、中国科学院和安徽省科委 的多线资助。曾两次去日本东京大学进修。获学校科研 成果一等奖一项;国家教委全国高校物理教学仪器三等 奖一项;国家专利一项。在国内外核心刊物发表文章40 余篇。

  傅竹西, 男, 教授(博士生导师). 1944年3月出生. 1967年毕业于北京大学物理系。 1976 年初到中国科大 物理系任教至今。教学方面主讲过研究生课:"光电子学"和"半导体 光电子材料”等;基础课:"光学","原子物理学"等。

  曾编写出版了"固体光电子学"一书。(99年1月, 中国科技 大学出版社)。

  科研工作经历: 1976-1985年, 从事发光二极管 和电致发光材料和器件的研究工作。1985年至今, 从事 半导体光电子薄膜材料的制备和特性研究工作。近年来在ZnO光电信息功能薄膜研究方面有较大贡献. 先后获国家基金委、科技部、中国科学院和安徽省科委 的多线资助。曾两次去日本东京大学进修。获学校科研 成果一等奖一项;国家教委全国高校物理教学仪器三等 奖一项;国家专利一项。在国内外核心刊物发表文章40 余篇。

著作及论文

  著作 :

  Fu Zhuxi, "the Photoelectronics of Solid" , Hefei, USTC publishing company, Jan, 1999 .

  文章:

  2003年及以前文章

  [1]  Bixia lin, Zhuxi Fu , Yunbo Jia: “Green luminescent center in undoped zinc oxide films deposited on silicon substrates” Appl. Phys. Lett. 2001, 79 (7) :943-945

  [2]   Zhuxi Fu, Bixia Lin and Guihong Liao “The Effect of Zn Buffer layer on Growth and Luminescent Properties of ZnO Films Deposited on Si Substrates”, J. Crystal Growth, 1998, 193: 316

  [3] Fu Zhuxi, Guo Changxin, Lin Bixia and Liao Guihong : “Cathodoluminescence of ZnO films” Chinese Physics Letter . 1998, 15 (6): 457

  [4] Fu Zhuxi, Lin Bixia, Liao Guihong : “The Photoelectric Effect of ZnO/SiHeterostructure” Chinese Physics Letters 1999, 16 (10): 753

  [5] GUO Chang-Xin, FU Zhu-Xi, SHI Chao-Shu .: “Ultraviolet Super-Radiation Luminescence of Sputtering ZnO Film Under Cathode-Ray Excitation at room Temperature” Chinese Physics Letters . 1999, 16 (2): 146

  [6] Shi Chaoshu, Fu Zhuxi et al.: “UV Luminescence and Spectral Properties of ZnO Films Deposited on Si Substrates” , Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena , 1999 , Vol. 101/103: 629

  [7] Lin Bixia, Fu Zhuxi, Jia Yunbo, Liao Guihong: “The Defect Photoluminescence of Undoping ZnO Films and Its Dependence on Annealing Conditions” , J. Electrochemical Society, 2001, 148 (3): G110

  [8] Zhang Guo-Bin, Shi Chao-Shu , Han Zheng-Pu, Shi Jun-Yan, Fu Zhu-Xi, M.Kiem, G.Zimmerer: "Photoluminescent Properties of ZnO Films Deposited on Si Substrates" Chinese Physics Letters , 2001, Vol. 18 (3): 4...

  著作 :

  Fu Zhuxi, "the Photoelectronics of Solid" , Hefei, USTC publishing company, Jan, 1999 .

  文章:

  2003年及以前文章

  [1] Bixia lin, Zhuxi Fu , Yunbo Jia: “Green luminescent center in undoped zinc oxide films deposited on silicon substrates” Appl. Phys. Lett. 2001, 79 (7) :943-945

  [2] Zhuxi Fu, Bixia Lin and Guihong Liao “The Effect of Zn Buffer layer on Growth and Luminescent Properties of ZnO Films Deposited on Si Substrates”, J. Crystal Growth, 1998, 193: 316

  [3] Fu Zhuxi, Guo Changxin, Lin Bixia and Liao Guihong : “Cathodoluminescence of ZnO films” Chinese Physics Letter . 1998, 15 (6): 457

  [4] Fu Zhuxi, Lin Bixia, Liao Guihong : “The Photoelectric Effect of ZnO/SiHeterostructure” Chinese Physics Letters 1999, 16 (10): 753

  [5] GUO Chang-Xin, FU Zhu-Xi, SHI Chao-Shu .: “Ultraviolet Super-Radiation Luminescence of Sputtering ZnO Film Under Cathode-Ray Excitation at room Temperature” Chinese Physics Letters . 1999, 16 (2): 146

  [6] Shi Chaoshu, Fu Zhuxi et al.: “UV Luminescence and Spectral Properties of ZnO Films Deposited on Si Substrates” , Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena , 1999 , Vol. 101/103: 629

  [7] Lin Bixia, Fu Zhuxi, Jia Yunbo, Liao Guihong: “The Defect Photoluminescence of Undoping ZnO Films and Its Dependence on Annealing Conditions” , J. Electrochemical Society, 2001, 148 (3): G110

  [8] Zhang Guo-Bin, Shi Chao-Shu , Han Zheng-Pu, Shi Jun-Yan, Fu Zhu-Xi, M.Kiem, G.Zimmerer: "Photoluminescent Properties of ZnO Films Deposited on Si Substrates" Chinese Physics Letters , 2001, Vol. 18 (3): 441

  [9] Liu Ci-Hui, Chen Yu-Lin, Lin Bi-Xia , Zhu Jun-Jie , Fu Zhu-Xi, et al: "Electrical Properties of ZnO/Si Heterostructure ", Chinese Physics Letters 2001, 18 (8) : 1108

  [10] XU Pang-Shou, SUN Yu-Ming, Shi Chao-Shu. “Native Point Defect States in ZnO”. Chinese Physics Letters, 2001, 18 (9):1252-1253

  [11] Sun Yuming Xu Pangshou, , Shi Chaoshu. “A FP-LMTO study on the native shallow donor in ZnO”. Journal of Spectroscopy and Related Phenomena, 2001, 114/116: 1123-1125

  [12] XU Pang-Shou, SUN Yu-Ming, Shi Chao-Shu. “Electronic structure of ZnO anf its defects”, Science in China (Series A), 2001, 44 (9): 1174-1181

  [13] Zhang G.B., Zhou H.J., Shi C.S., Fu Z.X . , “Temperature and Time Dependence of Emission Properties of ZnO Films Deposited on Si Substrates”. Journal of Spectroscopy and Related Phenomena,2002

  [14] Zhuxi Fu, Bixia Lin , Jie Zu: “Photoluminescence and Structure of the ZnO Films Deposited on Si Substrates by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition”, Thin Solid Films , 2002, 402 ( 1-2 ): 302-306

  [15] Guo Chang-xin, Fu Zhu-xi, Shi Chao-shu. “Electron Pumped Ultraviolet Super-radiation Luminescence from Sputtering ZnO Film”, International Workshop on Zinc Oxide , 1999, October, 7-8

  [16] Gang Xiong , John Wikinson, K.B.Ucer, R.T.Williams; Zhuxi Fu, Bixia Lin : "ZnO Film Luminescence" 美国 2001 年春季物理年会 发表

  [17]Xia Sun, Zhuxi Fu, Ziqin Wu , Multifractal analysis and scaling range of ZnO AFM images, Physica A 2002 , 311 , 327

  [18] Xia Sun, Zhuxi Fu, Ziqin Wu, Fractal Processing of AFM Images of Rough ZnO films, Materials Characterization , 2002 , 48: 169-175

  [19] 郭常新,傅竹西,施朝淑 : “ 阴极射线激发下 ZnO 薄膜室温紫外发光的超线性增长规律 ” 发光学报 . 1998, Vol. 19(3): 239

  [20] 傅竹西 , 林碧霞 , 郭常新 , 廖桂红 ,“ 氧化锌半导体薄膜的发光光谱特性 ”, 半导体学报 , 1999, l.20 (9): 827

  [21] 傅竹西 . “ 共振腔增强型光电探测器 ” ,物理, 1999 , 28 (5) : 282-285

  [22] 傅竹西 ,吴自勤 .“ 阴极射线发光分析方法及其在新材料研究中的应用 ”. 物理 , 2000 , 29 ( 2 ): 96-99

  [23] 孙霞,熊刚, 傅竹西 ,吴自勤 :“ZnO 薄膜原子力显微镜图像的多重分形谱 ” , 物理学报 2000 , 49 (5): 854

  [24] 许小亮,施朝淑 : “ 纳米微晶结构 ZnO 及其紫外激光 ”, 物理学进展 , 2000 , 20(4): 356

  [25] 林碧霞,傅竹西,廖桂红 : “ 溅射方法生长的氧化锌薄膜的阴极射线和光致发光特性 ” , 发光学报 , 2001, Vol. 22 (2): 167

  [26] 傅竹西,林碧霞 ,祝杰,贾云波,刘丽萍,彭小滔 :“MOCVD 方法生长的氧化锌薄膜及其发光特性 ” , 发光学报 , 2001, 22 (2): 119

  [27] 张国斌,施朝淑,韩正甫,石军岩, 林碧霞 , Kirm M, Zimmerer G: “Si 基沉积 ZnO 薄膜的光谱特性 ” , 发光学报 2001 , Vol. 22 (2): 157

  [28] 刘磁辉,朱俊杰 ,陈宇林, 林碧霞,傅竹西 et al.:“ZnO/Si 异质结的深能结及其对发光的影响 ” , 发光学报 , 2001 , Vol. 22 (3)

  [29] 孙霞, 傅竹西 ,吴自勤 :“ 薄膜生长的多重分形谱的计算 ” , 计算物理 2001 , 18 (3): 247

  [30] 张斌,林碧霞,傅竹西, 施朝淑: “ 用电子束热蒸发技术制备 ZnO 薄膜 ” , 发光学报 2001 , Vol. 22 (3)

  [31] 林碧霞,傅竹西 ,贾云波 , 廖桂红 : “ 非掺杂氧化锌薄膜中的紫外和绿色发光中心 ” , 物理学报 2001, 50 (11): 2208-2211

  [32] 施朝淑,戚泽明, “Si 基 ZnO 薄膜的真空紫外激发谱 ” , 中国科学技术大学学报 , 2000 , 30 : 80-83

  [33] 林碧霞,傅竹西,刘磁辉,廖桂红,朱俊杰,段理 . “ 氧化锌宽禁带半导薄膜的发光及其 p-n 结特性 ”, 固体电子学研究与进展 , 2002 , 22(4) : 417-420

  [34] 傅竹西,林碧霞,何一平,廖桂红 , ZnO 薄膜的反射、透射光谱及能带结构测量 , 发光学报 , 2002 , 23 (6): 559-562

  [35] 段理,林碧霞,傅竹西 , ZnO 薄膜的掺杂及其结型材料的研究进展, 物理 , 2003, 32 (1): 27-31

  2004年

  [36] ZHAO Guo-liang, LIN Bi-xia, HONG Liang, MENG Xiang-dong,FU Zhu-xi, Structural and Luminescent Properties of ZnO Thin Films Deposited by Atmospheric Pressure Chemical Vapour Deposition, Chinese Physics Letters, 2004, 21 (7): 1381-1383

  [37] 傅竹西,林碧霞, “ 氧化锌薄膜光电功能材料研究的关键问题 ” , 发光学报, 2004 , 25 ( 2 ) 117-122

  [38] 林碧霞 , 傅竹西,廖桂红, “ 氧气后处理对氧化锌薄膜性质的影响 ” , 发光学报, 2004 , 25 ( 2 ) 129-133

  [39] 刘磁辉,林碧霞,王晓平,朱俊杰,钟声,傅竹西, “ 热退火对 ZnO 薄膜表面形貌与椭偏特性的影响 ” , 发光学报, 2004 , 25 ( 2 ) 151-155

  [40] 傅竹西,林碧霞,何一平,廖桂红 , ZnO 薄膜光学常数测量 , 发光学报, 2004 , 25 ( 2 ) 159-162

  [41] 段理,林碧霞,朱俊杰,汪进,张固非,傅竹西, “ZnO:Al 薄膜中本征缺陷对光电效应的影响 ” , 发光学报, 2004 , 25 ( 3 ) 309-312

  [42] 朱俊杰,刘磁辉,林碧霞,谢家纯,傅竹西, “ 范德堡方法在 ZnO 薄膜测试中的应用 ” ,发光学报, 2004 , 25 ( 3 ) 317-319

  [43] 施朝淑,张国斌,陈永虎,林碧霞,孙玉明,徐彭寿,傅竹西 ZnO 薄膜的特殊光谱性质及其机理 , 发光学报, 2004 , 25 ( 3 ) 272-276

  [44] 王丽玉,谢家纯,林碧霞,王克彦,傅竹西“ n-ZnO/p-Si 异质结 UV 增强型光电探测器的研究”电子元件与材料 2004 , Vol.23, 42-44

  [45]ZHU Jun-jie, LIN BI-xia, SUN Xian-kai, ZHEN Hai-wu,YAO Ran, Fu Zhu-xi, Studies of the Heteroepitaxial SiC Films on the Si Substrates, Jounal of Crystal Growth, 2004,33(4):545-548

  [46] 朱俊杰 , 林碧霞 , 姚然 , 赵国亮 , 傅竹西 , ZnO/SiC/Si(111) 异质外延 , 半导体学报, 2004 , 25 ( 12 ): 1668-1671

  2005年

  [47]LEI Huan , LIU Ci-hui, LIN Bi-xia, FU Zhu-xi, “ Influence of Interface Charge on Electrical Properties of ZnO/Si Heterojunction ”, Chinese Physics Letters, 2005, 22(1):185-197

  [48] Yang Zhang, Bixia Lin, Xiankai Sun, and Zhuxi Fu a) , Temperature-dependent photoluminescence of nanocrystalline ZnO thin films grown on Si (100) substrates by sol-gel process , Applied Physics Letters, 2005, 86:131910-131912 。

  [49] 孙贤开,林碧霞,朱俊杰,张杨,傅竹西, LP-MOCVD 异质外延 ZnO 薄膜中的应力及对缺陷的影响,物理学报, 2005 , 54 ( 6 ): 2899-2905 。

  [50] Junjie Zhu, Bixia Lin, Xiankai Sun, Ran Yao, Chaoshu Shi, Zhuxi Fu, “ Heteroepitaxy of ZnO film on Si(111) substrate using a 3C-SiC buffer layer” Thin Solid Films , Vol 478 , 2005 : P218-222

  [51] XU Jin( 徐瑾 ), ZHANG Zi-Yu( 张子瑜 ), ZHANG Yang( 张杨 ), LIN Bi-Xia( 林碧霞 ), FU Zhu-Xi( 傅竹西 ) , Effect of Ag Doping on Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films , Chinese Physics Letters, 2005, 22 (8): 2031-2034

  [52] 段理 林碧霞 傅竹西 蔡俊江 张子俞 , “ 本征 ZnO/p-Si 异质结光电转换性质的研究 ”,半导体学报, 2005,26 (10) 89- 93

  [53] Xiangdong Meng, Bixia Lin, Baijie Gu, Jujie Zhu, Zhuxi Fu* , “ A simple growth route towards ZnO thin films and nanorods ” SOLID STATE COMMUNICATIONS 135 (7): 411-415 AUG 2005

  [54] 林碧霞,付竹西,廖桂红,“氧化锌 Zn/O 比和发光的关系”,发光学报 2005 26 ( 2 ) 225

  [55] 刘磁辉 段理 林碧霞 刘秉策 雷欢 蔡俊江 傅竹西, ZnO:Al/p-Si的接触特性, 发光学报 2005 Vol.26 No.4 P.526-530

  [5 6] Yang Zhang, Ziyu Zhang, Bixia Lin, Zhuxi Fu, Jin Xu, Effects of Ag Doping on the Photoluminescence of ZnO Films Grown on Si Substretes, J. Phys. Chem. B 2005, 109(41) 19200

  [57] Zheng HW , Zhu JJ , Fu ZX , Lin BX , Li XG Heteroepitaxial growth and characterization of 3C-SiC films on Si substrates using LPVCVD , JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY 21 (4): 536-540 JUL 2005

  [58] Dai L , Liu SF , Fu ZX , You LP , Zhu JJ , Lin BX , Zhang JC , Qin GG ,Synthesis of GaN nanotip triangle pyramids on 3C-SiC epilayer/Si substrates via an in situ In-doping technique JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS 122 (10): Art. No. 104713 MAR 8 2005

  [59] Yang Zhang, Bixia Lin, Zhuxi Fu, Chihui Liu, Wei Han, Strong ultraviolet emission and rectiying behavior of nanocrystalline ZnO films Optical Materials, 2005,Sep. 27

  60 Luminescent and electric properties of ZNO:LI films derived by sol-gel
Lin, Bixia (Department of Physics, University of Science and Technology of China) ; Zhou, Rongguo ; Fu, Zhuxi Source: Proceedings - Electrochemical Society , v PV 2005-04, State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors, SOTAPOCS XLII and Processes at the Compound Semiconductor/Solution Interface - Proceedings of the International Symposium , 2005, p 471-474

  61. Preparation and characterization of ZnO film on Si(111) substrate with SiC buffer layer deposited by MOCVD
Fu, Zhuxi (Department of Physics, University of Science and Technology of China) ; Zhu, Junjie ; Lin, Bixia ; Sun, Xiankai ; Yao, Ran Source: Proceedings - Electrochemical Society , v PV 2005-04, State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors, SOTAPOCS XLII and Processes at the Compound Semiconductor/Solution Interface - Proceedings of the International Symposium , 2005, p 443-448

  [62] Xiangdong Meng , Bixia Lin, Liang Hong , Jujie Zhu, Xiankai Sun, Jin XU, Zhuxi Fu ,Study of the photoluminescence properties for ZnO films grown by two-step CVD, Chinese Journal of Luminescence (In Press).

  2006 年

  [63] Fu Zhuxi, Sun Xiankai, Zhu Junjie, Lin Bixia, Effect of Lattice Mismatch on Luminescence of ZnO/Si Hetero-structure, CHINESE JOURNAL OF SEMICOMDUCTOR, 2006, 27(2),239~243

  [64] Xiangdong Meng, Dazhi Wang, Jinhua Liu, Bixia Lin, Zhuxi Fu, Effects of titania different phases on the microstructure and properties of K 2 Ti 6 O 13 nanowires, Solid State Communications , 137 ( 2006 ): 146-149

  [65] Fabrication and electrical characterization of nanocrystalline ZnO/Si heterojunctions Author(s): Zhang Y , Xu J , Lin BX , Fu ZX , Zhong S , Liu CH , Zhang ZY Source: APPLIED SURFACE SCIENCE 252 (10): 3449-3453 MAR 15 2006 Source: SOLID STATE COMMUNICATIONS 137 (3): 146-149 JAN 2006

  [66] Yang Zhang, Bixia Lin, Zhuxi Fu , Cihui Liu, Wei Han, “Strong ultraviolet emission and rectifying behavior of nanocrystalline ZnO films”, Optical Materials, 2006, 28, 1192

  [67] Yang Zhang, Jin Xu, Bixia Lin, Zhuxi Fu * , Sheng Zhong, Cihui Liu, Ziyu Zhang,“Fabrication and electrical characterization of nanocrystalline ZnO/Si heterojunctions”, Applied Surface Science 252 (2006) 3449

承担项目

  2002年以来取得的资助项目:

  1,科技部973快速反应基金,"氧化锌宽禁带半导体薄膜的光电功能研究", 30万元

  2,国家自然科学基金委数理学部,"氧化锌薄膜p-n结及其光电子特性研究", 6万元

  3.国家自然科学基金委材料与工程学部,"氧化锌宽禁带光电功能材料",7万元

  4,国家基金委重大研究计划重点课题:"能带可调的氧化锌基异质结构生长及光电器件应用研究",75万元

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  2002年以来取得的资助项目:

  1,科技部973快速反应基金,"氧化锌宽禁带半导体薄膜的光电功能研究", 30万元

  2,国家自然科学基金委数理学部,"氧化锌薄膜p-n结及其光电子特性研究", 6万元

  3.国家自然科学基金委材料与工程学部,"氧化锌宽禁带光电功能材料",7万元

  4,国家基金委重大研究计划重点课题:"能带可调的氧化锌基异质结构生长及光电器件应用研究",75万元

  5,中国科学院知识创新方向性课题"第三代半导体材料SiC、ZnO及其器件研究"子课题:"氧化锌薄膜光电信息功 能及其应用研究", 85万元

  6,校高水平大学建设重点科研项目:"氧化锌基宽禁带光电功能薄膜材料", 15万元

  7,国家自然科学基金,"紫外光发射硅衬底氧化锌薄膜的制备及其特性研究", 12万元

  8,安徽省自然科学基金,"氧化锌异质结光电池的结构、性能及其应用研究",4.5万元

  9,国家科委提供项目经费,"氧化锌薄膜的紫外发光和激光研究",10万元,

  10,中科院院长基金,"ZnO光电子薄膜的制备和特性研究",5万元

  11,国家自然科学基金面上项目,"Si基片SiC过渡层的ZnO异质外延及其光电特性,28万元"

  12,国家自然科学基金面上项目"ZnO薄膜的发光中心及其激发机理研究",25万元

  13. 国家自然科学基金委重点基金,氧化锌异质结构电致发光及缺陷和杂质的行为研究 ” , 100 万

 

 

本文关键词:131910

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